W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI Comparação
Comparação detalhada lado a lado de W634GU6RB09J por Winbond e NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Taxa de dados | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.35V |
| Latência CAS | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| Encapsulamento | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Interface | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| Número de pinos | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |