YZ38F16SBB-9MFD-M vs H5TC4G63AFR-PBA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von YZ38F16SBB-9MFD-M von Loongtion und H5TC4G63AFR-PBA von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | YZ38F16SBB-9MFD-M | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marke | Loongtion | SK hynix |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,20 | $3,98 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Versorgungsspannung | 1.35V / 1.5V | — |
| Speed Grade | -9 (DDR3-1866) | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to +85°C | — |
| Schnittstelle | JEDEC DDR3 | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | External 240Ω ±1% resistor | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Pin-Anzahl | 96 | — |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |