YZ38F16SBB-9MFD-M vs H5TC4G63AFR-PBA 비교
다음의 상세 나란히 비교: YZ38F16SBB-9MFD-M 제조: Loongtion 및 H5TC4G63AFR-PBA 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | YZ38F16SBB-9MFD-M | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Loongtion | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.20 | $3.98 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| 공급 전압 | 1.35V / 1.5V | — |
| Speed Grade | -9 (DDR3-1866) | — |
| 동작 온도 | -40°C to +85°C | — |
| 인터페이스 | JEDEC DDR3 | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | External 240Ω ±1% resistor | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |