YZ38F16SBB-9MFD-M vs H5TC4G63AFR-PBA 比較

詳細な並列比較: YZ38F16SBB-9MFD-M メーカー: Loongtion および H5TC4G63AFR-PBA メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Loongtion
YZ38F16SBB-9MFD-M YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ YZ38F16SBB-9MFD-M H5TC4G63AFR-PBA
ブランド Loongtion SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.20 $3.98
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
パッケージ 96-ball FBGA 96-ball FBGA
電源電圧 1.35V / 1.5V —
Speed Grade -9 (DDR3-1866) —
動作温度 -40°C to +85°C —
インターフェース JEDEC DDR3 16-bit I/O
ZQ Calibration External 240Ω ±1% resistor Yes
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
実装タイプ Surface Mount —
ピン数 96 —
データレート 1866 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
動作温度範囲 — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

データシート&リソース

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