YZ38F16SBB-9MFD-M vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de YZ38F16SBB-9MFD-M par Loongtion et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Loongtion
YZ38F16SBB-9MFD-M YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre YZ38F16SBB-9MFD-M H5TC4G63AFR-PBA
Marque Loongtion SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $7,20 $3,98
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Boîtier 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Tension d'alimentation 1.35V / 1.5V —
Speed Grade -9 (DDR3-1866) —
Température de fonctionnement -40°C to +85°C —
Interface JEDEC DDR3 16-bit I/O
ZQ Calibration External 240Ω ±1% resistor Yes
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Type de montage Surface Mount —
Nombre de broches 96 —
Débit de données 1866 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis