YZ38F16SBB-9MFD-M vs H5TC4G63AFR-PBA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de YZ38F16SBB-9MFD-M por Loongtion e H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Loongtion
YZ38F16SBB-9MFD-M YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro YZ38F16SBB-9MFD-M H5TC4G63AFR-PBA
Marca Loongtion SK hynix
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $7,20 $3,98
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Encapsulamento 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Tensão de alimentação 1.35V / 1.5V —
Speed Grade -9 (DDR3-1866) —
Temperatura de operação -40°C to +85°C —
Interface JEDEC DDR3 16-bit I/O
ZQ Calibration External 240Ω ±1% resistor Yes
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tipo de montagem Surface Mount —
Contagem de pinos 96 —
Taxa de dados 1866 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação