2EDN8533RXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDN8533RXTMA1 por Infineon y 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDN8533RXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,18
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Driver Configuration Low-side, dual independent channels —
Peak Source/Sink Current 5 A per channel —
Number of Channels 2 2 (high-side + low-side)
Input Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance (absolute max) -12 V to +22 V —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Output Resistance Low (per datasheet; see SG figure) —
Propagation Delay Matched between channels (excellent timing accuracy) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC UVLO) —
Encapsulado PG-TSSOP-8 (exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Configuración de salida — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

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