2EDN8533RXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDN8533RXTMA1 por Infineon e 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDN8533RXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,18
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Driver Configuration Low-side, dual independent channels —
Peak Source/Sink Current 5 A per channel —
Number of Channels 2 2 (high-side + low-side)
Input Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance (absolute max) -12 V to +22 V —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Output Resistance Low (per datasheet; see SG figure) —
Propagation Delay Matched between channels (excellent timing accuracy) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC UVLO) —
Encapsulamento PG-TSSOP-8 (exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Configuração de saída — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Temperatura de operação — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Fichas técnicas e recursos

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