2EDN8533RXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN8533RXTMA1 par Infineon et 2EDL6014ACG2DXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN8533RXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,18
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Driver Configuration Low-side, dual independent channels —
Peak Source/Sink Current 5 A per channel —
Number of Channels 2 2 (high-side + low-side)
Input Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance (absolute max) -12 V to +22 V —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Output Resistance Low (per datasheet; see SG figure) —
Propagation Delay Matched between channels (excellent timing accuracy) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC UVLO) —
Boîtier PG-TSSOP-8 (exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Configuration de sortie — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Fiches techniques et ressources

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