2EDN8533RXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 比較

詳細な並列比較: 2EDN8533RXTMA1 メーカー: Infineon および 2EDL6014ACG2DXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2EDN8533RXTMA1 2EDN8533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver IC | Infineon

2EDN8533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver IC | Infineon

2EDN8533RXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDN8533RXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $1.18
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Driver Configuration Low-side, dual independent channels —
Peak Source/Sink Current 5 A per channel —
Number of Channels 2 2 (high-side + low-side)
Input Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance (absolute max) -12 V to +22 V —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Output Resistance Low (per datasheet; see SG figure) —
Propagation Delay Matched between channels (excellent timing accuracy) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC UVLO) —
パッケージ PG-TSSOP-8 (exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant (per Infineon product page) —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
出力構成 — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
動作温度 — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

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