2N7002L vs BSS169H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002L بذریعہ onsemi اور BSS169H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002L BSS169H6327XTSA1
برانڈ onsemi Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 170 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 360 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET Depletion-mode vertical DMOS
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
پن کی تعداد — 3
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں