AS4C512M16D4A-62BCNTR vs K4A8G165WC-BCWE Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BCNTR por Alliance Memory y K4A8G165WC-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4A-62BCNTR K4A8G165WC-BCWE
Marca Alliance Memory Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,10 $38,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit (512M x 16) —
Tensión de alimentación 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
Clock Rate 1600 MHz (DDR4-3200) —
Latencia CAS 18 ns [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA
Temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C (Commercial) —
Interfaz POD (Pseudo Open Drain) Differential (CK, /CK)
Velocidad de datos 3200 MT/s 3200 Mbps
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
Moisture Sensitivity Level 3 (168 Hours) —
Write Cycle Time - Word, Page 15 ns —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Standard Pack 1500/reel (Tape & Reel) —
Density — 8 Gb
Organización de memoria — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
VPP Voltage — 2.5 V
Rango de temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C
Burst Length — 8 (BL8) / 4 (BC4)
Number of Banks — 16
Row Address Bits — 16
Column Address Bits — 10
Estado RoHS — Compliant
JEDEC Standard — JEDEC DDR4

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización