AS4C512M16D4A-62BCNTR vs K4A8G165WC-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4A-62BCNTR от Alliance Memory и K4A8G165WC-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ АктивенSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | AS4C512M16D4A-62BCNTR | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,10 | $38,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Напряжение питания | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| Clock Rate | 1600 MHz (DDR4-3200) | — |
| Задержка CAS | 18 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Корпус | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (Commercial) | — |
| Интерфейс | POD (Pseudo Open Drain) | Differential (CK, /CK) |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Moisture Sensitivity Level | 3 (168 Hours) | — |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15 ns | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack | 1500/reel (Tape & Reel) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Диапазон рабочих температур | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |