AS4C512M16D4A-62BCNTR vs K4A8G165WC-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BCNTR par Alliance Memory et K4A8G165WC-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA

K4A8G165WC-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4A-62BCNTR K4A8G165WC-BCWE
Marque Alliance Memory Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $38,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (512M x 16) —
Tension d'alimentation 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
Clock Rate 1600 MHz (DDR4-3200) —
Latence CAS 18 ns [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Boîtier 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA
Température de fonctionnement 0°C to +95°C (Commercial) —
Interface POD (Pseudo Open Drain) Differential (CK, /CK)
Débit de données 3200 MT/s 3200 Mbps
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
Moisture Sensitivity Level 3 (168 Hours) —
Write Cycle Time - Word, Page 15 ns —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Standard Pack 1500/reel (Tape & Reel) —
Density — 8 Gb
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
VPP Voltage — 2.5 V
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C
Burst Length — 8 (BL8) / 4 (BC4)
Number of Banks — 16
Row Address Bits — 16
Column Address Bits — 10
Statut RoHS — Compliant
JEDEC Standard — JEDEC DDR4

Fiches techniques et ressources

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