AS4C512M16D4A-62BCNTR vs K4A8G165WC-BCWE 比較
詳細な並列比較: AS4C512M16D4A-62BCNTR メーカー: Alliance Memory および K4A8G165WC-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | AS4C512M16D4A-62BCNTR | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $38.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| 電源電圧 | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| Clock Rate | 1600 MHz (DDR4-3200) | — |
| CASレイテンシ | 18 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (Commercial) | — |
| インターフェース | POD (Pseudo Open Drain) | Differential (CK, /CK) |
| データレート | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Moisture Sensitivity Level | 3 (168 Hours) | — |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15 ns | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack | 1500/reel (Tape & Reel) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |