AS4C512M16D4A-62BCNTR vs K4A8G165WC-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4A-62BCNTR 제조: Alliance Memory 및 K4A8G165WC-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | AS4C512M16D4A-62BCNTR | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $38.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| 공급 전압 | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| Clock Rate | 1600 MHz (DDR4-3200) | — |
| CAS 레이턴시 | 18 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Commercial) | — |
| 인터페이스 | POD (Pseudo Open Drain) | Differential (CK, /CK) |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Moisture Sensitivity Level | 3 (168 Hours) | — |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15 ns | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack | 1500/reel (Tape & Reel) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |