FDP030N06 vs IRFB7534PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de FDP030N06 por onsemi y IRFB7534PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro FDP030N06 IRFB7534PBF
Marca onsemi Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,89 $1,85
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 120 A (Tc) —
Continuous Drain Current (datasheet rating) 193 A (Tc, datasheet title rating) —
RDS(on) Max @ Id, Vgs 3.2 mOhm —
RDS(on) Typ 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 231 W (Tc) —
Gate Drive Type Standard level gate drive —
Switching Speed Fast —
Gate Input Resistance Low gate input resistance (low gate charge) —
Avalanche Test 100% avalanche tested —
Encapsulado TO-220-3 (3+Tab) TO-220AB
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Packing Tube —
Typical Applications Power supply, switching applications —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (PbF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7534PBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 195 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 294 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.7 V (typ)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rated — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Nivel MSL — MSL1 (unlimited floor life)

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