FDP030N06 vs IRFB7534PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FDP030N06 par onsemi et IRFB7534PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FDP030N06 IRFB7534PBF
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,89 $1,85
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 120 A (Tc) —
Continuous Drain Current (datasheet rating) 193 A (Tc, datasheet title rating) —
RDS(on) Max @ Id, Vgs 3.2 mOhm —
RDS(on) Typ 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 231 W (Tc) —
Gate Drive Type Standard level gate drive —
Switching Speed Fast —
Gate Input Resistance Low gate input resistance (low gate charge) —
Avalanche Test 100% avalanche tested —
Boîtier TO-220-3 (3+Tab) TO-220AB
Type de montage Through Hole Through Hole
Packing Tube —
Typical Applications Power supply, switching applications —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (PbF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7534PBF
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 195 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 294 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.7 V (typ)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rated — Yes
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Niveau MSL — MSL1 (unlimited floor life)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis