FDP030N06 vs IRFB7534PBF 比較

詳細な並列比較: FDP030N06 メーカー: onsemi および IRFB7534PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ FDP030N06 IRFB7534PBF
ブランド onsemi Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.89 $1.85
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 120 A (Tc) —
Continuous Drain Current (datasheet rating) 193 A (Tc, datasheet title rating) —
RDS(on) Max @ Id, Vgs 3.2 mOhm —
RDS(on) Typ 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 231 W (Tc) —
Gate Drive Type Standard level gate drive —
Switching Speed Fast —
Gate Input Resistance Low gate input resistance (low gate charge) —
Avalanche Test 100% avalanche tested —
パッケージ TO-220-3 (3+Tab) TO-220AB
実装タイプ Through Hole Through Hole
Packing Tube —
Typical Applications Power supply, switching applications —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (PbF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7534PBF
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 195 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 294 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.7 V (typ)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rated — Yes
動作温度範囲 — -55C to +175C
MSLレベル — MSL1 (unlimited floor life)

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