FDP030N06 vs IRFB7534PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDP030N06 por onsemi e IRFB7534PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FDP030N06 IRFB7534PBF
Marca onsemi Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,89 $1,85
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology PowerTrench (Trench) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 120 A (Tc) —
Continuous Drain Current (datasheet rating) 193 A (Tc, datasheet title rating) —
RDS(on) Max @ Id, Vgs 3.2 mOhm —
RDS(on) Typ 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 231 W (Tc) —
Gate Drive Type Standard level gate drive —
Switching Speed Fast —
Gate Input Resistance Low gate input resistance (low gate charge) —
Avalanche Test 100% avalanche tested —
Encapsulamento TO-220-3 (3+Tab) TO-220AB
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Packing Tube —
Typical Applications Power supply, switching applications —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (PbF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7534PBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 195 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 294 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.7 V (typ)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rated — Yes
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Nível MSL — MSL1 (unlimited floor life)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação