H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix y H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G6NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,09 | $12,96 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | — | 2666 Mbps |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Packaging | — | Tray |