H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN4G6NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,09 | $12,96 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Temperatura de operação | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Encapsulamento | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Taxa de dados | — | 2666 Mbps |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Interface | — | Parallel |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Packaging | — | Tray |