H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G6NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,09 | $12,96 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Débit de données | — | 2666 Mbps |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| Interface | — | Parallel |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Packaging | — | Tray |