H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G6NBJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN4G6NBJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ 生産中
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H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.09 $12.96
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 256M x 16 —
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Technology CMOS CMOS
動作温度 -40C to +95C -40C to +95C
パッケージ FBGA-96 (PBGA-96) FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes (DM) —
Asynchronous Reset Yes (RESET_n) —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes (command/address CRC) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Memory Organization — 256M x 16
データレート — 2666 Mbps
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
インターフェース — Parallel
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Packaging — Tray

データシート&リソース

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