H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G6NBJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN4G6NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G6NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.09 | $12.96 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) |
| Technology | CMOS | CMOS |
| 동작 온도 | -40C to +95C | -40C to +95C |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | — | 2666 Mbps |
| Operating Current | — | 38 mA (typical, per distributor data) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Body Size | — | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration; write leveling |
| Protection Functions | — | Asynchronous reset; CRC; data mask |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Packaging | — | Tray |