H5AN4G6NBJR-UHC vs MT40A256M16GE-083E Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix y MT40A256M16GE-083E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ Fin de vidaComparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G6NBJR-UHC | MT40A256M16GE-083E |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Fin de vida |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,09 | $2,20 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Interfaz | — | Parallel |
| ECCN | — | EAR99 |
| Country of Origin | — | China |
| Sin halógenos | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |
| Introduction Date | — | August 2017 |
| Lifecycle | — | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |