H5AN4G6NBJR-UHC vs MT40A256M16GE-083E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix et MT40A256M16GE-083E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G6NBJR-UHC | MT40A256M16GE-083E |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,09 | $2,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Interface | — | Parallel |
| ECCN | — | EAR99 |
| Country of Origin | — | China |
| Sans halogène | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |
| Introduction Date | — | August 2017 |
| Lifecycle | — | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |