H5AN4G6NBJR-UHC vs MT40A256M16GE-083E 比較
詳細な並列比較: H5AN4G6NBJR-UHC メーカー: SK hynix および MT40A256M16GE-083E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ 生産終了仕様比較
| パラメータ | H5AN4G6NBJR-UHC | MT40A256M16GE-083E |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.09 | $2.20 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| 動作温度 | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| インターフェース | — | Parallel |
| ECCN | — | EAR99 |
| Country of Origin | — | China |
| ハロゲンフリー | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |
| Introduction Date | — | August 2017 |
| Lifecycle | — | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |