H5AN4G6NBJR-UHC vs MT40A256M16GE-083E 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G6NBJR-UHC 제조: SK hynix 및 MT40A256M16GE-083E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ 단종사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G6NBJR-UHC | MT40A256M16GE-083E |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.09 | $2.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| 동작 온도 | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| ECCN | — | EAR99 |
| Country of Origin | — | China |
| 할로겐 프리 | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |
| Introduction Date | — | August 2017 |
| Lifecycle | — | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |