H5AN8G6NDJR-UHC vs K4A8G165WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NDJR-UHC por SK hynix y K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NDJR-UHC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $34,60 | $14,22 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Encapsulado | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-ball FBGA |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Interfaz | — | Parallel |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Número de pines | — | 96 |