H5AN8G6NDJR-UHC vs K4A8G165WB-BIWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NDJR-UHC 제조: SK hynix 및 K4A8G165WB-BIWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NDJR-UHC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $34.60 | $14.22 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| 패키지 | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-ball FBGA |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | -40°C to +95°C |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 핀 수 | — | 96 |