H5AN8G6NDJR-UHC vs K4A8G165WB-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NDJR-UHC por SK hynix e K4A8G165WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NDJR-UHC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $34,60 | $14,22 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-ball FBGA |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| Taxa de dados | — | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Temperatura de operação | — | -40°C to +95°C |
| Interface | — | Parallel |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Número de pinos | — | 96 |