H5AN8G6NDJR-UHC vs K4A8G165WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NDJR-UHC メーカー: SK hynix および K4A8G165WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NDJR-UHC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $34.60 | $14.22 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| パッケージ | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-ball FBGA |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| データレート | — | 3200 Mbps |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 動作温度 | — | -40°C to +95°C |
| インターフェース | — | Parallel |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| ピン数 | — | 96 |