H5AN8G6NDJR-UHC vs K4A8G165WB-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR-UHC par SK hynix et K4A8G165WB-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR-UHC | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $34,60 | $14,22 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Boîtier | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-ball FBGA |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| Débit de données | — | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Interface | — | Parallel |
| Burst Length | — | 8, 16 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Nombre de broches | — | 96 |