IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPL65R115CFD7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından Infineon ve IPL65R115CFD7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPL65R115CFD7AUMA1 IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 - 650V 24A 115mΩ CoolMOS CFD7 | Infineon

IPL65R115CFD7AUMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB60R040CFD7ATMA1 IPL65R115CFD7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $5,19 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CFD7 (Superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 227 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C (TJ)
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-VSON-4 (VSON-4 EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 24 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 144 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 115 mΩ at VGS=10V, ID=9.7A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Body Diode — Integrated Fast Recovery

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin