IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N04S408ATMA1 por Infineon y IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,39
FET Type Dual N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 degC to +175 degC —
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (260 degC peak reflow) 1 (260C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Rated 100 percent tested —
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

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