IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S408ATMA1 par Infineon et IPG20N04S4L11ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,39
FET Type Dual N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 degC to +175 degC —
Boîtier PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260 degC peak reflow) 1 (260C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Rated 100 percent tested —
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

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