IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPG20N04S408ATMA1 por Infineon e IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,39
FET Type Dual N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (trench MOSFET) OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
Temperatura de junção de operação -55 degC to +175 degC —
Encapsulamento PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 (260 degC peak reflow) 1 (260C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Status RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Rated 100 percent tested —
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

Fichas técnicas e recursos

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