IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon y IPN95R1K2P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,44 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS P7 (Super Junction)
Encapsulado PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) SOT-223-3 (PG-SOT223)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

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