IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPN95R3K7P7ATMA1 por Infineon e IPN95R1K2P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPN95R1K2P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,44 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | CoolMOS P7 (Super Junction) |
| Encapsulamento | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | SOT-223-3 (PG-SOT223) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +150 C | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 6 A |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | — | 1200 mOhm (1.2 Ohm) |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | — | 10 V |
| Power Dissipation (T_C) | — | 7 W |
| Contagem de pinos | — | 3 (2 + Tab) |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Part Status | — | Active |