IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPN95R3K7P7ATMA1 par Infineon et IPN95R1K2P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPN95R1K2P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,44 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | CoolMOS P7 (Super Junction) |
| Boîtier | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | SOT-223-3 (PG-SOT223) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 6 A |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | — | 1200 mOhm (1.2 Ohm) |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | — | 10 V |
| Power Dissipation (T_C) | — | 7 W |
| Nombre de broches | — | 3 (2 + Tab) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Part Status | — | Active |