IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPN95R3K7P7ATMA1 メーカー: Infineon および IPN95R1K2P7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.44 $0.36
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS P7 (Super Junction)
パッケージ PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) SOT-223-3 (PG-SOT223)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55 C to +150 C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
ピン数 — 3 (2 + Tab)
動作温度範囲 — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼