IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPN95R3K7P7ATMA1 от Infineon и IPN95R1K2P7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon

IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,44 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS P7 (Super Junction)
Корпус PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) SOT-223-3 (PG-SOT223)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура перехода -55 C to +150 C —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Число выводов — 3 (2 + Tab)
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену