IR2101STRPBF vs IR2181STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2101STRPBF por Infineon y IR2181STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2101STRPBF IR2181STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,74
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent High and Low Side, Independent
Number of Drivers 2 —
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V and 5 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Encapsulado 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Nivel MSL MSL 3 [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Current (Source) — 1.9 A peak
Output Current (Sink) — 2.3 A peak
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) — Up to 600 V offset
Propagation Delay (typ) — 180 ns
Rise Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: fall time]
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes
Undervoltage Lockout — Independent for high-side and low-side
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Lead-Free — Yes

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