IR2101STRPBF vs IR2181STRPBF 比較

詳細な並列比較: IR2101STRPBF メーカー: Infineon および IR2181STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IR2101STRPBF IR2181STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.74
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent High and Low Side, Independent
Number of Drivers 2 —
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V and 5 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
パッケージ 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40 C to +125 C —
MSLレベル MSL 3 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant Compliant (PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Current (Source) — 1.9 A peak
Output Current (Sink) — 2.3 A peak
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) — Up to 600 V offset
Propagation Delay (typ) — 180 ns
Rise Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: fall time]
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes
Undervoltage Lockout — Independent for high-side and low-side
動作温度範囲 — -40 C to +125 C
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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