IR2101STRPBF vs IR2181STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2101STRPBF por Infineon e IR2181STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2101STRPBF IR2181STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,74
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent High and Low Side, Independent
Number of Drivers 2 —
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V and 5 V
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Encapsulamento 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Nível MSL MSL 3 [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Current (Source) — 1.9 A peak
Output Current (Sink) — 2.3 A peak
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) — Up to 600 V offset
Propagation Delay (typ) — 180 ns
Rise Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: fall time]
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes
Undervoltage Lockout — Independent for high-side and low-side
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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