IRF640NPBF vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF640NPBF por Infineon y IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF640NPBF IPP600N25N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $1,62
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W 136 W
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Encapsulado TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulado / Carcasa — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (junction)
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)

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