IRF640NPBF vs IPP600N25N3GXKSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF640NPBF от Infineon и IPP600N25N3GXKSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF640NPBF IPP600N25N3GXKSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,88 $1,62
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W 136 W
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) MOSFET (Metal Oxide)
Тип транзистора N-Channel Enhancement Mode —
Корпус TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Корпус / Типоразмер — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C (junction)
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Число выводов — 3 (Gate, Drain, Source)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену