IRF640NPBF vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NPBF par Infineon et IPP600N25N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF640NPBF IPP600N25N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $1,62
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W 136 W
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) MOSFET (Metal Oxide)
Type de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Boîtier / Format — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)

Fiches techniques et ressources

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