IRF640NPBF vs IPP600N25N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF640NPBF por Infineon e IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF640NPBF IPP600N25N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $1,62
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W 136 W
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Technology HEXFET (5th Generation) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole, 3-pin) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulamento / Caixa — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (junction)
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

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